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IRF 4905 PBF | INFINEON Transistor MOSFET P-Kanal -64A/-55V TO220| 11728
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Infineon BUZ80A N-Kanal, THT MOSFET Transistor 800 V / 3,6 A 100 W, 3-Pin TO-220AB | RS
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Infineon Automatische Öffnungssysteme - Infineon Technologies | Mouser
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IRLI540N INFINEON Transistoren - JOTRIN ELECTRONICS
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2x Infineon H30R1203 IHW30N120R3 IGBT 1200V 60A Transistor # 711670 online kaufen | eBay
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BC848CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistoren | Bürklin Elektronik
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IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK | TME - Elektronik Bauteile
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MOSFET-Transistor - IPAN60R280P7S - Infineon Technologies AG - Leistung / Schalt
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Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR181W SOT-323 Anzahl Kanäle 1 NPN | voelkner
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IPB60R165CP INFINEON | Rutronik24 Distributor
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BCR166 | Infineon Transistor SOT-23 | Distrelec Deutschland
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BCR135E6327 SMD INFINEON, SOT23
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IGO60R070D1 - Infineon Technologies
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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut | voelkner
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IRF 530 N PBF | INFINEON Transistor MOSFET N-Kanal 17A/100V TO220| 71967
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300-1200V IGBTs - Infineon Technologies | Mouser
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Infineon BFR193E6327HTSA1 SMD, NPN Bipolarer Transistor 12 V / 80 mA 8 GHz, SOT-23 3-Pin | RS
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IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB | TME - Elektronik Bauteile
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GaN HEMT – Gallium Nitride Transistor - Infineon Technologies
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Infineon BFP640H6327XTSA1 SMD, NPN Bipolarer Transistor 4 V / 50 mA 40 GHz, SOT-343 4-Pin | RS
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IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3 | TME - Elektronik Bauteile
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Infineon IHW30N160R5XKSA1 transistor – FixPart
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Infineon Technologies IRF3708PBF MOSFET 1 N-Kanal 87 W TO-220 kaufen
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MPSA55 | Infineon Technologies | Bipolar Transistoren | Bürklin Elektronik
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Eine so genannte IGBT-Modul (isoliert-Gate-bipolar-Transistor) der Halbleiterhersteller Infineon auf dem Display an des Unternehmens ist Hauptsitz in Neubiberg, Deutschland, 28. Januar 2015. IGBT-Modul dienen zur Steuerung von Elektromotoren in der ...
Eine so genannte IGBT-Modul (isoliert-Gate-bipolar-Transistor) der Halbleiterhersteller Infineon auf dem Display an des Unternehmens ist Hauptsitz in Neubiberg, Deutschland, 28. Januar 2015. IGBT-Modul dienen zur Steuerung von Elektromotoren in der ...

20N60C3 = SPP20N60C3 INFINEON Transistor N-MOSFET 650V 20,7A 208W: Amazon.de: Elektronik & Foto
20N60C3 = SPP20N60C3 INFINEON Transistor N-MOSFET 650V 20,7A 208W: Amazon.de: Elektronik & Foto