![IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB | TME - Elektronik Bauteile IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB | TME - Elektronik Bauteile](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/83/96/00/00/0/26936_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=2f78d4db736a365b920ab27ae97ce797081ed138)
IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB | TME - Elektronik Bauteile
![Infineon stellt den kleinsten Nanotube-Transistor der Welt vor, Infineon Technologies AG, Pressemitteilung - PresseBox Infineon stellt den kleinsten Nanotube-Transistor der Welt vor, Infineon Technologies AG, Pressemitteilung - PresseBox](https://cdn.pressebox.de/a/9fa587e4016580c1/attachments/0001986.attachment/filename/nanotube_german.jpg)
Infineon stellt den kleinsten Nanotube-Transistor der Welt vor, Infineon Technologies AG, Pressemitteilung - PresseBox
![IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 500V; 18,5A; 127W; PG-TO220-3 | TME - Elektronik Bauteile IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 500V; 18,5A; 127W; PG-TO220-3 | TME - Elektronik Bauteile](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4A/7E/00/00/0/59300_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=310ec0227be82b0420b23bf4a039e5fd98b8a1d9)
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 500V; 18,5A; 127W; PG-TO220-3 | TME - Elektronik Bauteile
Infineon OptiMOS IPB100N08S2L07ATMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 75 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | RS
![Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847BW SOT-323-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut | voelkner Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847BW SOT-323-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut | voelkner](https://asset.re-in.de/isa/160267/c1/-/de/558304_BB_00_FB/Infineon-Technologies-Transistor-BJT-diskret-BC847BW-SOT-323-3-Anzahl-Kanaele-1-NPN-Tape-cut.jpg?x=600&y=600&ex=600&ey=600&align=center&quality=95)
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847BW SOT-323-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut | voelkner
![BTS462T BESTELLEN BTS462T BESTELLEN TRANSISTOR infineon Pb Free 1 los = 50 stücke Freeshipping|freeshipping|pb crystalpb travel - AliExpress BTS462T BESTELLEN BTS462T BESTELLEN TRANSISTOR infineon Pb Free 1 los = 50 stücke Freeshipping|freeshipping|pb crystalpb travel - AliExpress](https://ae01.alicdn.com/kf/HTB1FJtpIXXXXXahXVXXq6xXFXXXY/BTS462T-BESTELLEN-BTS462T-BESTELLEN-TRANSISTOR-infineon-Pb-Free-1-los-50-st-cke-Freeshipping.jpg_Q90.jpg_.webp)
BTS462T BESTELLEN BTS462T BESTELLEN TRANSISTOR infineon Pb Free 1 los = 50 stücke Freeshipping|freeshipping|pb crystalpb travel - AliExpress
![Infineon Technologies Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung BCR148S SOT-363 Anzahl Kanäle 2 NPN - vorgespannt Tape cut | voelkner Infineon Technologies Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung BCR148S SOT-363 Anzahl Kanäle 2 NPN - vorgespannt Tape cut | voelkner](https://asset.re-in.de/isa/160267/c1/-/de/558301_BB_00_FB/Infineon-Technologies-Transistor-BJT-Arrays-Vorspannung-BCR148S-SOT-363-Anzahl-Kanaele-2-NPN-vorgespannt-Tape-cut.jpg?x=600&y=600&ex=600&ey=600&align=center&quality=95)
Infineon Technologies Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung BCR148S SOT-363 Anzahl Kanäle 2 NPN - vorgespannt Tape cut | voelkner
![Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut | digitalo Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut | digitalo](https://asset.re-in.de/isa/160267/c1/-/de/151006_BB_00_FB/Infineon-Technologies-Transistor-BJT-diskret-BC847C-SOT-23-3-Anzahl-Kanaele-1-NPN-Tape-cut.jpg?x=500&y=500&ex=500&ey=500&align=center&quality=95)
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut | digitalo
![Eine so genannte IGBT-Modul (isoliert-Gate-bipolar-Transistor) der Halbleiterhersteller Infineon auf dem Display an des Unternehmens ist Hauptsitz in Neubiberg, Deutschland, 28. Januar 2015. IGBT-Modul dienen zur Steuerung von Elektromotoren in der ... Eine so genannte IGBT-Modul (isoliert-Gate-bipolar-Transistor) der Halbleiterhersteller Infineon auf dem Display an des Unternehmens ist Hauptsitz in Neubiberg, Deutschland, 28. Januar 2015. IGBT-Modul dienen zur Steuerung von Elektromotoren in der ...](https://c8.alamy.com/compde/ef938w/eine-so-genannte-igbt-modul-isoliert-gate-bipolar-transistor-der-halbleiterhersteller-infineon-auf-dem-display-an-des-unternehmens-ist-hauptsitz-in-neubiberg-deutschland-28-januar-2015-igbt-modul-dienen-zur-steuerung-von-elektromotoren-in-der-industrie-foto-andreas-gebertdpa-ef938w.jpg)